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3.4 只读存储器
顾名思义，ROM是一种只能进行读操作，而不能进行写操作的存储器。相对于RAM来说，ROM的最大优点就是其信息的非易失性，即使电源断电，ROM中存储的信息也不会丢失。
一般称向ROM写入数据的过程为对ROM进行编程，根据编程方法的不同，ROM通常可以分为几类。
1．掩模式ROM
MROM的内容是由半导体制造厂按用户提出的要求在芯片的生产过程中直接写入的，写入之后任何人都无法改变其内容。
MROM的优点是可靠性高，集成度高，形成批量之后价格便宜；缺点是用户对制造厂商的依赖性过大，灵活性差。
2．一次可编程ROM
PROM允许用户利用专门的设备（编程器）进行一次写入操作，但有且仅有一次。一旦写入后，其内容将无法改变。
3．可擦除可编程ROM
EPROM中的内容既可以读出，也可以写入。但是在一次写操作之前必须用紫外线照射15～20分钟以擦去所有信息，然后再写入，可以写多次。
EPROM又可分为两种，分别是紫外线擦除（UVEPROM）和电擦除（E2PROM）。
UVEPROM需用紫外线灯制作的擦抹器照射存储器芯片上的透明窗口，使芯片中原存内容被擦除。由于是用紫外线灯进行擦除，所以只能对整个芯片擦除，而不能对芯片中个别需要改写的存储单元单独擦除。
E2PROM是采用电气方法来进行擦除的，在联机条件下既可以用字擦除方式擦除，也可以用数据块擦除方式擦除。以字擦除方式操作时，能够只擦除被选中的那个存储单元的内容；在数据块擦除方式操作时，可擦除数据块内所有单元的内容。
虽然EPROM是可读写的ROM，但由于它寿命有限，写入时间过长等因素，仍不能取代RAM。
4．闪速存储器
闪速存储器（Flash Memory，闪存）是20世纪80年代中期出现的一种快擦写型存储器，其性能介于 EPROM与 E2PROM之间。与E2PROM相似，可使用电信号进行删除操作。整块闪速存储器可以在数秒内删除，速度远快于EPROM，而且可以选择删除某一块而非整块芯片的内容，但还不能进行字节级别的删除操作。集成度与EPROM相当，高于E2PROM。
目前，大多数微型计算机的主板采用闪速存储器来存储BIOS程序。因为闪速存储器除了具有ROM的一般特性外，还有低电压改写的特点，便于用户自动升级BIOS。
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